真空等离子体涂覆薄膜沉积设备

真空等离子体涂覆薄膜沉积设备

常规的沉积涂覆工艺的缺点：

涂层厚度为毫米量级会影响电子产品的外观及性能。

• 大量的化学品消耗，污染严重。

• 毛细效应，导致高密度器件表面无法实现涂层。

• 样品处理前仍然需要进行复杂的清洗工艺以确保涂层黏附性。

• 涂覆有方向性，影响整体防护效果。

• 涂覆会影响样品的射频穿透性及产品的外观。

设备工作原理：

Pluto-MC利用等离子体改性时，将试样置于特定的离子处理装置中，通过高能态的等离子轰击试样的表面，将能量传递给试样表层的分子，使试样发生

热蚀、交联、降解和氧化反应，并使试样表面发生C-F键和C-C键的断裂，产生大量自由基或引进某些极性基团，从而优化试样表面的性能。

等离子体对其改性的主要途径是引发表面接枝，具体方法是用非聚合气体(如Ar,H2,O2,N2和空气等)对样品表面进行等离子体处理，使其表而形成活性自

由基，之后利用活性自由基引发功能性单体，使其在表面进行接枝聚合。利用沉淀反应进行表面改性,这是工业上目前应用最多的方法。

真空等离子体涂覆薄膜沉积设备产品特点：

1.13.56MHz射频电源与自动匹配系统，具备优异的稳定性与可重复性。

2.优化的气体馈入与分布设计，提供优秀的处理均匀性。

3.可灵活设置的电极及电极的实时可控，满足功能材料的大面积可控沉积。

4.精准安全的液态源供应系统，满足不同功能材料的快速大面积沉积。

5.PLC提供稳定的过程控制，设备运行的实时参数通过显示屏直观呈现。

6.系统设置多级管理权限，集简易的操作体验与严谨的工艺管控与一体。

PLUTO-MC等离子涂覆镀膜参数：

• 最大涂覆面积：150mm*150mm

• 频率：13.56MHz

• 功率：0-200W
  

• 物料容积：10-150ml
  

• 温控范围：加热（室温~200℃）保温（室温~200℃）

• 流量控制：转子流量计

• 管路：最多4路气体（同时可通入4种物质）

• 电源电压：交流220V